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然而，要掌握IGBT的制造技术，也并非易事。IGBT是一种工作原理非常复杂的器件，几乎集成了所有半导体器件的基本结构。要制造出满足要求的IGBT器件，涉及到光刻、氧化、离子注入、热扩散、淀积多晶硅等一系列的微电子制造工艺。为了降低导通电阻，工程师们不断降低单元胞的尺度、增加并联的元胞数量，为此，IGBT的制造工艺规则从5微米下降到了微米，而晶片尺寸则由4英寸提高到6英寸、8英寸。
所有这些生产工艺，对于当年的中国来说，都是十分困难的，而且几乎没有在短期内形成突破的可能性。也正因为此，周林磊并不对秦海寄予太多的希望，在他看来，秦海能够解决超级电容、超导线圈、永磁材料等障碍，就已经是十分难能可贵了，再把IGBT这样的困难强加在秦海身上，未免有些太强人所难了。
听到周林磊的话，秦海笑着问道：“周工，航母弹射器上使用的IGBT器件，可不是寻常货色，国外能卖给咱们吗？”
“事在人为吧。”周林磊其实也没有太多的把握，只能这样回答道，“实在买不到大功率的IGBT，有一些功率相对低一些器件，通过串联的方法组合起来，也勉强能够达到要求了。”
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